Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0300U000858, 0100U004014 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електрофізичних параметрів та структурної досконалості монокристалів Si , вирощуваних методом БЗП за допомогою установки, призначеної для лабораторно-модельних випробувань. Назва етапу роботи Застосування електрофізичних методів для опрацювання оптимальних режимів кристалізації при використанні електронно-променевого методу БЗП з метою виявлення еффективності очистки монокристалів Si від легуючої домішки і забезпечення однорідності її розподілу в поперечному перерізі зливка. Виявлення структурної досконалості кристалів Si , вирощуваних електронно-променевим методом БЗП. Керівник роботи Баранський Петро Іванович, Дата реєстрації 08-09-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджені можливості отримання методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки монокристалів Si , а також використання цих умов для вивчення деяких фундаментальних проблем фізики кристалізації. Приведені електрофізичні властивості кристалів Si, отриманих названим способом. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити