Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0302U005215, 0100U003269 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вивчення вторинно-емісійних, адсорбційних та радіаційних процесів при бомбардуванні твердих тіл іонами середніх енергій стосовно задач мікро- та наноелектроніки Назва етапу роботи Вивчення впливу кисню на енергетичні спектри вторинних іонів і ймовірності іонізації частинок, розпилених з поверхні металів з різною щільністю електронних станів Керівник роботи Коваль А.Г., Дата реєстрації 22-04-2002 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження — матеріали з різною електронною структурою: напівпровідники групи А3В5, в тому числі тверді розчини сполук А3В5. Мета роботи — отримати відомості стосовно процесу адсорбції кисню на поверхні складних (трьох-чотирьох компонентних) напівпровідників групи А3В5; дослідити процеси накопичення та газовиділення дейтерію, імплантованого у напівпровідники GaAs i GaP бомбардуванням іонами D2+ середніх енергій, методом термодесорбційної спектрометрії. Методи дослідження — мас-спектрометрія вторинних іонів; термодесорбційна мас-спектрометрія. Проведені систематичні дослідження процесів адсорбції кисню на поверхні складних напівпровідників. Встановлено, що напівпровідник Al0.35Ga0.65As характеризується значною адсорбційною активністю по відношенню до кисню. Навіть при Т=875 К і тиску кисню 2х10-6 Па кисень присутній на поверхні у помітній кількості. Прицьому у взаємодію з киснем вступає лише сполука AlAs, сполука GaAs, що входить до складу напівпровідника Al0.35Ga0.65As, не діє істотно з киснемдо температур 875 К і тисків кисню 10(-3) Па. Адсорбційні характеристики напівпровідника In0.88Ga0.12As0.35P0.65 схожі на такі самі характеристики InP. Досліджено утворення радіаційних дефектів у арсеніді та фосфідф галію, опромінених іонами D2+ середніх енергій. Встановлено, що у зразках накопичуються власні дефекти матриці та імплантовані частинки бомбардуючого пучка (легуюча домішка). Між ними можлива взаємодія з утворенням комплексів, які при подальшому пострадіаційному нагріванні можуть перетворюватися із звільненням частинок дейтерію. Звільнені частинки дейтерію мігрують по об'єму зразка до поверхні та потім десорбуються у вакуум. Результати дослідження можуть бути використані при створенні нових матеріалів із заданими властивостями, для з'ясування загальних механізмів адсорбції газів і створення єдиної теорії цих процесів, а також у діагностиці твердих тіл на атомарному рівні; у конструкційному матеріалознавстві. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити