Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0303U003171, 0102U000329 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології вирощування однорідних за складом, легування та дослідження електричних і фотоелектричних властивостей напівпровідників системи CdTe-ZnTe Назва етапу роботи Пошук оптимальних умов вирощування менш дефектних напівпровідників CdTe-ZnTe та дослідження їх фізичних властивостей Керівник роботи Цмоць В.М., Дата реєстрації 18-02-2003 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Методи дослідження - статистичний аналіз електричних характеристик вирощених кристалів при різних температурах шихти і градієнта температур на фронті кристалізації. Основні результати - отримано енергетичний спектр дефектів в зразках ZnxCd1-xTe, їх зміну з часом в процесі зберігання і низькотемпературного прогрівання в парах Zn і Cd. Термообробка зразків ZnxCd1-xTe в парах Н2 виявляє можливість їх отримання з великим питомим опором за рахунок пасивації центрів з малими енергіями активації. ZnxCd1-xTe, вирощений в атмосфері Н2 є дещо більш стабільним. Отримано умови вирощування ZnxCd1-xTe з більш однорідним розподілом дефектів. Показана можливість отримання високоомних кристалів ZnxCd1-xTe шляхом їх легування воднем. Фізика напівпровідників Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити