Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U001155, 0104U009811 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка експериментальної технології та дослідження дії іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами. Назва етапу роботи Розробка експериментальної технології та дослідження дії іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами. Керівник роботи Оболонський В.О., Дата реєстрації 21-01-2005 Організація виконавець Державний науково-дослідний центр "Фонон" Опис етапу Було розроблено експериментальну технологію та досліджено дію іонного травлення на властивості структур CdHgTe з захисними шарами. На основі отриманих результатів можна зробити наступні висновки, необхідні для відпрацювання технології виготовлення фотодіодів методом іонного травлення на основі епітаксійних структур CdхHg1-хTe з захисними шарами CdTe: 1.Захисний шар CdTe товщиною порядку 1 мкм виявляє маскуючи властивості до дії іонного травлення на активний шар р-CdхHg1-хTe з метою створення в ньому p-n переходу. 2.Для епітаксійних шарів р-CdхHg1-хTe з захисними шарами CdTe товщиною порядку 0,1 мкм спостерігається p-n конверсія при цьому товщина конвертованого шару є значно меншою, ніж очікувана для однорідного р-CdхHg1-хTe з однаковим складом. 3.Основні властивості конвертованих при ІТ шарів в структурах р-CdхHg1-хTe з тонким захисним шаром CdTe є аналогічними, як і для однорідного матеріалу. В результаті ІТ формується типова n+- n - р+ структура з порушеним n+-шаром і основним конвертованим n-шаром. 4.Концентрація електронів в порушеному та основному конвертованому шарі релаксує при зберіганні при кімнатній температурі за законами, що відповідають однорідному матеріалу, отриманому різними технологіями. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити