Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U001257, 0104U000893 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження процесів деградації напівпровідникових твердих розчинів CdxZn1-xTe Назва етапу роботи Вирощування нелегованих і легованих кристалів CdxZn1-xTe методом сублімації Керівник роботи Пелещак Р.М., Дата реєстрації 31-01-2005 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Напівпровідники CdTe, а також CdxZn1-xTe вже знайшли своє використання в електронній техніці. Тому важливим є технологія отримання цих матеріалів з мінімально можливою концентрацією власних дефектів. Метою роботи - дослідження впливу температури термообробки на структуру дефектів в CdxZn1-xTe, дослідження можливості пасивації дрібних дефектів воднем. Методи дослідження - дослідження електрофізичних властивостей в температурному інтервалі 77 - 300 К, статистичний аналіз електричних характеристик вирощених кристалів. Основні результати - удосконалення методики вирощування CdxZn1-xTe, отримання енергетичної картини дефектів. За спектрами фотолюмінісценції найменш дефектними виявились кристали CdхZn1-хTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні Фізика напівпровідників. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити