Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0310U002328, 0108U000587 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами Назва етапу роботи Дослідження координатної залежності електростатичного потенціалу у тришаровій гетероструктурі галій арсен - індій арсен - галій арсен з самоорганізованими нанокластерами Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 05-03-2010 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Розраховано просторовий розподіл електростатичного потенціалу та напруженості електричного поля у напружених гетероструктурах GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з точковими дефектами (міжвузловими атомами та вакансіями) самоузгодженим методом, який враховує вплив контактних явищ, наявність дефектно-деформаційних структур в об'ємі матеріалу та електрон-деформаційну взаємодію. Досліджено вплив величини невідповідності параметрів ґраток контактуючих матеріалів та концентрації точкових дефектів на профіль електростатичного потенціалу у напружених гетероструктурах GaAs/InxGa1 xAs/GaAs. Опис продукції Автори роботи Даньків Олеся Омелянівна Крипак Анаталій Олексійович Кузик Олег Васильович Мацько Михайло Іванович Німецький Володимир Петрович Пелещак Роман Михайлович Петрицин Оксана Євгенівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити