Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0312U003242, 0106U011410 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками. Назва етапу роботи Вплив нейтронного опромінення на генерацію радіаційних дефектів в напівпровідниках з різними ізовалентними домішками Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 06-03-2012 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Показано, що введення домішки германію в Cz-Si в концентрації 0,7 ат. %, судячи по інтенсивності поглинання при 3,9 мкм, удвічі підвищує його радіаційну стійкість до утворення дивакансій при нейтронному опроміненні флюенсом 5·1016 н/см2. Опис продукції При опроміненні нейтронами в широкому інтервалі доз проведено визначення радіаційної стійкості кристалів Si1-xGex. Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити