Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0401U001294, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 27-04-2001 Статус Запланована Назва роботи Вплив (-радіації і НВЧ випромінюванняна параметри GaAs польових транзисторівз бар'єром Шотткі. Здобувач Ренгевич Олексій Євгенович, Керівник Конакова Р. В Опонент Лисенко Володимир Сергійович Опонент Семашко Олена Мечиславівна Опис Показано, що зміну параметрів малошумливих НВЧ польових транзисторів з бар'єром Шотткі при дії (-радіації Со60 визначають процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. У діапазоні доз опромінення 106 ( 2(107 Р, внаслідок радіаційно-стимульованої релаксації внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах, спостерігається поліпшення параметрів транзисторів. Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть при незначних тривалостях обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально отримано, що, аналогічно випадку (-опромінювання, існує діапазон тривалостей обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ. Дата реєстрації 2001-04-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
Вплив (-радіації і НВЧ випромінюванняна параметри GaAs польових транзисторівз бар'єром Шотткі.
Ренгевич Олексій Євгенович. Вплив (-радіації і НВЧ випромінюванняна параметри GaAs польових транзисторівз бар'єром Шотткі. : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2001-04-27; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0401U001294.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку