Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U002822, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 03-07-2002 Статус Запланована Назва роботи Вирощування легованих монокристалів InSb і моделювання конвекції в розплаві при впливі ультразвуку Здобувач Комаров Микола Вікторович, Керівник Кожемякін Г. М. Опонент Литвинов Л.А. Опонент Кутній В.Є. Опис . Об'єкт дослідження - шарувата неоднорідність домишок, що виникає при вирощуванні монокристалів напівпровідникових матеріалів, мета дослідження - в розробці способу зниження шаруватості при вирощуванні монокристалів InSb методом Чохральського, легованих телуром. Методи дослідження: модифікований метод Чохральського; метод хімічного травлення, оптична й електронна мікроскопія; метод "світлового ножа" із застосуванням відеозапису і комп'ютерної обробки результатів експериментів. Теоретичні та практичні результати, новизна: розроблен спосіб вирощування монокристалів напівпровідників в ультразвуковому полі. Показано, що вплів ультразвуку з частотою від 0,6 до 5,0 МГц усуває шаруватість у області "грані". Ступінь упровадження: запропонований спосіб вирощування кристалів застосовано для росту монокристалів GaAs і Bi-Sb. Сфера використання: технологія напівпровідникових матеріалів. Дата реєстрації 2002-07-03 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити