Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U003684, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 20-11-2002 Статус Запланована Назва роботи Роль нерівноважних носіїв заряду в лінійних явищах переносу в обмежених напівпровідниках Здобувач Меріуц Андрій Володимирович, Керівник Бойко Б.Т. Опонент Агєєв Л.О. Опонент Кошкін В.М. Опис Об'єктом дослідження - нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, лінійні по зовнішньому впливу, мета дослідження - побудова теорії лінійних явищ переносу, яка враховує нерівноважні носії заряду, що з'являються при протіканні струму через обмежений напівпровідник. Методи дослідження: система лінійних диференційних рівнянь, які описують процеси переносу в напівпровідниках в лінійному наближенні, та нові граничні умови, які враховують як рекомбінаційні процеси, так і протікання струму через контакт. Теоретичні та практичні результати, новизна: Проведено послідовний опис лінійних явищ переносу i встановлено, що істотну роль у них можуть відігравати процеси рекомбінації нерiвноважних носіїв. Вперше сформульовані повні граничні умови до системи рівнянь неперервності і Пуассона, які враховують рекомбінацію на контакті та протікання струму через контакт. Показано, що при наявності градієнту температури, у лінеарізованому співвідношенні для рекомбінації з'являється доданок, який пов'язаний зі зміною темпутеплової генерації, та пропорційний градієнту температури і не залежить від концентрації нерiвноважних носіїв. Сфера використання: фізика напівпровідників, напівпровідникове приладобудування. Дата реєстрації 2002-11-20 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити