Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0405U002019, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 29-04-2005 Статус Запланована Назва роботи Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs. Здобувач Стовповий Михайло Олексійович, Керівник Міленін Віктор Володимирович Опонент Литовченко Петро Григорович Опонент Чайка Василь Євгенович Опис Дисертація присвячена розробці та дослідженню термостійких омічних і бар'єрних контактів для НВЧ приладів. У роботі показано, що системи металізації Au-AuGe та Au-Ti для омічних і бар'єрних контактів відповідно, які широко застосовуються в мікроелектроніці, є термостійкими лише до 350 ?С, що пов'язано з дифузійними процесами та міжшаровими взаємодіями в контактах. Запропоновані та досліджені системи металізації Au-TaNx(TiBx)-AuGe і Au-TiNx(TiBx) для омічних і бар'єрних контактів відповідно можуть стабільно працювати при температурах до 550° С без зміни електрофізичних параметрів. Використання таких контактів дозволяє створення напівпровідникових приладів підвищеної надійності. Проведено дослідження омічних контактів для гетероструктурних (GaAs-AlGaAs) польових транзисторів. Експериментально визначений критерій оптимальності технології і досліджена радіаційна стійкість таких контактів. Запропоновано методику контролю техпроцесу. Показано, що після впливу ?-радіації у діапазоні доз (2-3)·107 Р спостерігається поліпшення параметрів омічного контакту таких приладів. Дата реєстрації 2005-04-29 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити