Реєстраційний номер
0406U002183, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
19-05-2006
Статус
Захищена
Назва роботи
Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар'єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію
Здобувач
Кучук Андріан Володимирович,
Керівник Кладько Василь Петрович
Опонент Григор'єв Олег Миколайович
Опонент Клюй Микола Іванович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис
Дисертація присвячена дослідженню структури та основних фізичних властивостей плівок WTiN та TaSiN, в залежності від вмісту азоту в процесі їх реактивного магнетронного розпиленням. Процес розпилення WTiN, із збільшенням парціального тиску азоту, розділений на три області: 1) МР-металічний режим; 2) ПР-перехідний режим; 3) НР-нітридний режим. Зміна потоку плівко-утворюючих часток (МР: атоми Ме (W, Ti); ПР: кластери МеN; НР: атоми Ме та N) приводить до еволюції фазового складу (МР: тверді розчини W(Ti, N) з ОЦК-ґраткою; ПР: псевдо аморфна фаза; НР: гомогенний твердий розчин WTiN з ГЦК- ґраткою), до зростання атомної густини та питомого опору плівок. Оптимальні квазі-аморфні дифузійні бар'єри W64Ti16N20, запобігають взаємодифузії між Au та GaAs, до термообробок при 750оС. Встановлено, що збільшення потоку азоту в розпилювальній плазмі, а отже і концентрації азоту в TaSiN, приводить до збільшення їх атомної густини, питомого опору та їх аморфізації, що пояснюється "пасивацією" нанозерен TaSi атомами азоту, яка перешкоджає їх коалесценцію. Збільшення "ступеня аморфізму", що корелює із зміною хімічного складу та різким збільшенням питомого опору плівок Ta-Si-N, пояснюється збільшенням в них вмісту фракції нітриду кремнію SiNx (діелектрик/аморфний), та зменшенням фракції нітриду танталу TaNx (провідник/полікристалічний). На підставі цієї моделі пояснюється також термічна стабільність плівок (N-41ат.%) в системах Au-,Ag-GaAs та Au-GaN до 800оС.
Дата реєстрації
2006-05-30
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
