Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0406U002233, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Тверді розчини на основі тернарних станідів та антимонідів перехідних і рідкісноземельних металів структурних типів MgAgAs та Y3Au3Sb4

Здобувач

Горинь Андрій Маркіянович,

Керівник Бодак Оксана Іванівна
Керівник Стадник Юрій Володимирович
Опонент Томашик Василь Миколайович
Опонент Стельмахович Богдан Мирославович

На здобуття

к.х.н., 02.00.01, Неорганічна хімія

Дата захисту

10-05-2006

Опис

У роботі досліджено вплив заміщення компонентів у тернарних сполуках структурних типів MgAgAs та Y3Au3Sb4 іншими елементами на кристалічну й електронну структури та фізичні властивості. Побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану систем Ti-Со-{Sn, Sb} при 870/1070 К, підтверджено існування 4 тернарних сполук. Визначено області гомогенності, кристалічну структуру, поміряні електротранспортні та магнітні властивості сплавів твердих розчинів заміщення TiCo1-xM'xSb (M' = Ni, Cu), Ti1-xScxNiSn, Zr1-xM''xNiSn (M'' = Sc, Nb, Mo), ZrNi1-xСоxSn, ZrNiSn1-xSbx, ZrCoSb1-xSnx, VFe1-xCuxSb i R3Cu3Sb4-xSnx (R = La, Ce, Pr, Nd, Sm). Встановлено, що сполуки зі структурою типу MgAgAs та електронною концентрацією 18 ел./ф.о., мають напівпровідникові властивості, а для заміщених фаз при зміні електронної концентрації відбувається поступовий перехід від активаційної провідності до металічної. Розраховано електронні структури 6 тернарних сполук і 4 твердих розчинів на їх основі і встановлено сильну гібридизацію зовнішніхелектронних орбіталей всіх атомів. Для сполук та зразків твердих розчинів заміщення, що проявляють напівпровідникові властивості, виявлено доволі широкий інтервал енергій з низькою густиною станів, у межах якого лежить рівень Фермі. Заміщення компонентів у тернарних сполуках приводить до зміщення рівня Фермі в напрямку зони провідності або валентної зони з утворенням інтерметалічних напівпровідників n- або р-типу, відповідно. Зразки твердого розчину ZrCoSb1-xSnx i сполуку TiCoSb запропоновано до застосування як матеріал для термоелектричних генераторів.