Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0409U001507, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-03-2009 Статус Запланована Назва роботи Вплив точкових дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах Здобувач Штанько Олександр Дмитрович, Керівник Шутов Станіслав Вікторович Опонент Чуйко Геннадій Петрович Опонент Раранский Микола Дмитрович Опис Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. Виконано експериментальні дослідження зміни об'ємних і поверхневих властивостей монокристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію з різним відхиленням складу від стехіометричного в термічних процесах під впливом власних і домішкових дефектів їх структури. Установлені основні закономірності зміни від часу гомогенізуючого та розчинюючого відпалів з загартуванням кристалів фізичних параметрів в об'ємі монокристалів двох груп: з надлишковим відносно стехіометричного складу вмістом миш'яку і з надлишком галію. Визначено, що поверхнева термостабільність електрофізичних характеристик кристалів НІН GaAs погіршується зі збільшенням вмісту вакансій миш'яку, а також зі зростанням щільності дислокацій. Поліпшення термостабільності відбувається при використанні режиму довготривалого (більше двох годин) охолодження кристалів. Показано, що зниження рекомбінаційної активності центрівEL2, яке зумовлене формуванням комплексів EL2-Cu, має місце в тому випадку, коли атом міді в складі комплексу займає позицію атома галію. Крім міді на випромінювальну рекомбінацію через центри EL2 також впливають атоми кадмію і селену. Встановлено, що значення механічних напружень при неоднорідному розподілі атомів домішки залежать від вакансійного складу кристала, якщо дифузія домішки відбувається по вакансіях галію і не залежать від нього при міжвузловому механізмі дифузії. Ключові слова: арсенід галію, термообробка, точкові дефекти, домішка, дислокації, дифузія, електрофізичні властивості, механічні напруження. Дата реєстрації 2009-03-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Штанько Олександр Дмитрович. Вплив точкових дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2009-03-27; Статус: Захищена; Херсонський національний технічний університет. – , 0409U001507.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-10