Реєстраційний номер
0410U000014, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
11-12-2009
Статус
Захищена
Назва роботи
Фотоприймачі на основі твердих розчинів HgTe
Здобувач
Ковальчук Мирослав Любомирович,
Керівник Раренко Іларій Михайлович
Опонент Ковалюк Захар Дмитрович
Опонент Іжнін Ігор Іванович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Інститут термоелектрики
Опис
Дисертація містить результати комплексних розробок методів синтезу і вирощування та дослідження структурних, електричних, оптичних, фотоелектричних властивостей варізонних структур на основі твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами двохвалентних металів, кристалів-підкладок для них та кристалів твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами трьохвалентних металів; результати дослідження властивостей створених на основі вказаних кристалів та структур оптичних, фотоелектричних приладів. Електронно-зондовим аналізом встановлені причини утворення під час росту в кристалах CdTe і Cd1-yMnyTe преципітатів з SiO2, а також розроблені методи вирощування цих кристалів з низькою густиною дислокацій. Досліджено Т-х діаграму стану системи Cd-CdTe-Sb. На ВЗС CdxMnyHg1-x-yTe досліджено температурні залежності електропровідності та ефекту Холла в межах 80-350 К; створені на них перебудовувані оптичні ІЧ фільтри, фотоприймачі, спектрометричні елементи. Вирощено радіально однорідні за складом і фізичними властивостями радіаційностійкі кристали твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами трьохвалентних металів. Це кристали складу In2Hg3Te6 та його аналоги - InGaHg2CdTe6, InGaHg2MnTe6. Згідно проведеного диференційно-термічного аналізу вони плавляться та кристалізуються конгруентно. Рентгендифракційним аналізом знайдені їх структурний тип, постійні граток, а з дослідження електрочних, оптичних і фотоелектричних властивостей визначені значення ширин їх заборонених зон. На них створені діоди і фотодіоди Шотткі, на яких проведений повний комплекс вимірювання електричних, фотоелектричних характеристик та параметрів до і після бета-, гамма- опромінення. Дози гамма опромінення до 10^8 бер практично не змінюють фотоелектричних параметрів описаних ФДШ, тому їх рекомендовано як радіаційностійкі фото-детектори ІЧ випромінювання у спектральному діапазоні 0,8-1,6 мкм та як детектори з широким динамічним діапазоном х-, бета-, гамма-, нейтронного випромінювання.
Дата реєстрації
2010-01-11
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
