Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0412U003037, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-04-2012 Статус Запланована Назва роботи Електрофізичні та структурні властивості шаруватих систем з нановключеннями кремнію. Здобувач Братусь Олег Леонідович, Керівник Євтух Анатолій Антонович Опонент Назаров Олексій Миколайович Опонент Ільченко Володимир Васильович Опис У дисертаційній роботі наведені результати комплексних досліджень структурних властивостей нанокомпозинних SiO2(Si) плівок, отриманих методами іонно-плазмового розпилення (IPS) та плазмохімічного осадження з парогазової фази (PE CVD). За допомогою різних методик досліджені основні закономірності трансформації збагачених кремнієм SiOx плівок в нанокомпозитні плівки SiO2(Si), що містять НК Si в діелектричній матриці після високотемпературного відпалу. Нанокомпозитні плівки, отримані PE CVD методом, показують вузький інтенсивний пік ФЛ в діапазоні 1,46 - 1,57 еВ. Встановлено механізм електропровідності нанокомпозитних плівок SiO2(Si), отриманих IPS методом, з послідуючим температурним відпалом. Електропровідність даних плівок здійснюється за механізмом стрибкової провідності із змінною довжиною стрибка, що обумовлено великою кількістю обірваних кремнієвих зв'язків в діелектричній матриці. Визначена концентрація пасток в нанокомпозитних SiO2(Si) плівках, які приймають участь у електропровідності при різному вмісту надлишкового кремнію у вихідних плівках SiOx. Виявлено ефект від'ємної диференційної ємності в МДН структурах з нанокомпозитними плівками SiO2(Si) в якості діелектрика та запропонована фізична модель для його пояснення. Модель базується на паралельному включенні ємності нанокристалів до ємності діелектрика. Дата реєстрації 2012-04-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Братусь Олег Леонідович. Електрофізичні та структурні властивості шаруватих систем з нановключеннями кремнію. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2012-04-18; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0412U003037.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28