Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0414U000793, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-03-2014 Статус Запланована Назва роботи Катодні контакти з дифузійними бар'єрами TiBx для фосфідіндієвих діодів Ганна Здобувач Новицький Сергій Вадимович, Керівник Конакова Раїса Василівна Опонент Марченко Олександр Анатолійович Опонент Сліпченко Микола Іванович Опис Дисертація присвячена дослідженню фізичних процесів, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. В якості зовнішніх впливів використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та гамма-опромінення ^60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Під дією гамма-опромінення ^60Со до дози 10^7 Гр в контактах, заздалегідь підданих ШТО при T=400 °С, спостерігаються процеси деградації внаслідок дифузії кисню крізь плівку TiBx. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до n-n+-n++-InP в діапазоні температур 80-380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, які проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів. Дата реєстрації 2014-03-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити