Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0418U001272, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 22-03-2018 Статус Запланована Назва роботи Структурно-допентна модифікація аргіродиту Ag8SnSe6 для елементів резистивної пам'яті Здобувач Семків Ігор Володимирович, Керівник Ільчук Григорій Архипович Опонент Ціж Богдан Романович Опонент Студеняк Ігор Петрович Опис Дисертацію присвячено дослідженню фізичних властивостей полікристалів і тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6, фізико-хімічних основ технології їх одержання та створенню резистивно перемикаючих комірок на їх основі. Оптимізовано фізико-хімічні основи одержання полікристалічного Ag8SnSe6 та розроблено ефективну технологію отримання тонких плівок аргіродиту методом селенізації металічної плівки Ag-Sn. Одержані полікристали та тонкі плівки характеризуються орторомбічною структурою просторової групи Pmn21 з близькими за значенням параметрами кристалічної гратки за даними рентгеноструктурного аналізу. Розраховано зонно-енергетичну структуру аргіродиту Ag8SnSe6 та показано генезис утворення зони провідності та валентної зони. Отримано значення ширини забороненої зони 0,75 еВ у наближенні функціоналу локальної густити та 0,66 еВ у методі проекційно приєднаних хвиль. Проведено теоретико-групову класифікацію фононних мод Ag8SnSe6. Показано активність та частоти коливань у спектрах комбінаційного розсіяння та ІЧ-спектрах. Досліджено спектри КРС, у яких спостерігається один пік, що є комбінацією піків при 119,08; 168,43; 200,05 та 216,73 см-1, які відповідають високосиметричним коливанням симетрії A1 та піків при 150,73 та 212,75 см-1, що відповідають коливним модам В1 та В2 відповідно. У спектрах поглинання в інфрачервоному діапазоні край фундаментального оптичного поглинання знаходиться при 1512 нм та відповідає міжзонному переходу з енергією 0,82 еВ. Отримано температурну залежність фотолюмінесценції аргіродиту Ag8SnSe6. Спектри характеризуються одним асиметричним піком, який є комбінацією двох рекомбінаційних піків з максимумами за 0,85 та 0,74 еВ. Створено твердотільну електрохімічну комірку на основі тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6 з активним до іонів Ag+ срібним та блокувальним до них графітовим електродами. Виявлено ефект резистивного перемикання. Проведено імпедансні дослідження комірки та моделювання відповідних процесів електричними еквівалентними схемами. Дата реєстрації 2018-03-22 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
3
Семків Ігор Володимирович. Структурно-допентна модифікація аргіродиту Ag8SnSe6 для елементів резистивної пам'яті : Кандидат технічних наук : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2018-03-22; Статус: Захищена; Національний університет "Львівська політехніка". – Львів, 0418U001272.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27