Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U002412, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 27-04-2019 Статус Запланована Назва роботи Удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників Здобувач Холод Олексій Григорович, Керівник Притчин Сергій Емільович Опонент Єрохов Валерій Юрійович Опонент Лозінський Володимир Борисокич Опис Дисертаційна робота присвячена розв’язанню актуального наукового зав-дання удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників. Для досягнення поставленої мети удосконалено математичну модель, яка визначає залежність загального опору системи «металевий контакт – поруватий шар арсеніду галію – підкладка арсеніду галію» від поруватості шару. Встановлено, що контактний опір металу до поруватого арсеніду галію визначається висотою бар’єру Шотткі. Зміна поруватості шару por-GaAs спричиняє зміну контактного опору. Показано, що загальний опір системи «метал –por-GaAs» можна розглядати як систему паралельно-послідовно з’єднаних опорів. В роботі удосконалено метод отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs, який відрізняється застосуванням імпульсного струму. Для забезпечення вимірювання параметрів контактів із поруватим шаром GaAs розроблено автоматизовану систему визначення параметрів контактів з бар’єром Шотткі завдяки вимірюванню вольт-амперних характеристик, що дозволяє визначати одночасно пряму й зворотну гілки вольт-амперних характеристик. Встановлено експериментальну залежність між морфологією поруватого шару і електричними параметрами контакту Шотткі та уточнено наукові дані про залежність висоти бар’єру Шотткі від товщини поруватого шару. На підставі запропонованих в роботі технологій розроблено датчик водню на базі поруватого GaAs з контактом Шотткі, який працює за кімнатної температури. Дата реєстрації 2019-04-27 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити