Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U004506, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 15-10-2019 Статус Запланована Назва роботи Омічні та інжектуючі бар'єрні переходи до арсеніду галію Здобувач Дмитрієв Вадим Сергійович, Керівник Швець Євген Якович Опонент Круковський Семен Іванович Опонент Іващук Анатолій Васильович Опис Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі. Ключові слова: GaAs, омічні та інжектуючі бар’єрні переходи, коефіцієнт інжекції, срібло, потрійний сплав, МЕП-прилад. Дата реєстрації 2019-10-15 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити