Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0421U103025, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів.

Здобувач

Могиляк Іван Адріанович,

Керівник Попович Дмитро Іванович
Опонент Круковський Семен Іванович
Опонент Семчук Олександр Юрійович

На здобуття

Кандидат технічних наук, 05.27.06, Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

Дата захисту

13-05-2021

Опис

Дисертаційна робота присвячена розробці технології мікро- наноструктурування напівпровідникових матеріалів і формування тонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання. Експериментально досліджена можливість мікро- наноструктурування монокристалічного кремнію за допомогою трьох типів лазерів – рубінового, неодимового і СО2 лазера. Показано, що плавлення Si при порогових значеннях енергії лазерного випромінювання має локальний характер, а форма закристалізованих проплавів залежить від кристалографічної орієнтації зразків. Одержано поверхневі періодичні структури з розмірами в нанометровому діапазоні, що можна використовувати для підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Експериментально досліджена можливість твердофазного легування і формування у напівпровідниках субмікронних легованих шарів під дією потужних лазерних імпульсів. Проаналізовані і обгрунтовані оптимальні умови лазерної дії. Досліджені основні електрофізичні параметри p-n переходів і омічних контактів в Si, GaAs, InP, InGaAsP, InGaAs, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. Особливі переваги лазерні методи обробки матеріалів мають при формуванні p-n переходів і омічних контактів на основі легко дисоціюючих матеріалів і багатошарових структур. При відповідному виборі складу твердих розчинів цю методику можна ефективно використовувати при виготовленні фоточутливих структур в елементах мікро- наноелектроніки і оптоелектроніки.