Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0421U103895, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 22-09-2021 Статус Запланована Назва роботи Розробка методу скануючої рідиннофазної епітаксії Здобувач Цибуленко Вадим Володимирович, Керівник Шутов Станіслав Вікторович Опонент Воронов Сергій Олександрович Опонент Губа Сергій Костянтинович Опис Дисертацію присвячено розробці нового методу вирощування з рідинної фази. Для цього, проведено аналіз методів вирощування з рідинної фази, на основі якого сформульовані основні вимоги для нового методу. Розроблений новий метод вирощування з рідинної фази, який отримав назву скануюча рідиннофазна епітаксія. В дисертаційній роботі запропоновано і описано методику вирощування епітаксійних шарів новим методом. Побудовано математичну модель та розроблена комп’ютерна програма розрахунку технологічних режимів отримання епітаксійних шарів новим методом з урахуванням: напружень, нерівномірного розтікання струму в ростовому капілярі, ефекту Пельтьє, Джоулева нагрівання, електроміграції, кута змочування розчином-розплавом підкладки, а також різних умов тепловідведення від тильної і фронтальної сторони підкладки. Розроблено та виготовлено установку для скануючої рідиннофазної епітаксії. За результатами моделювання визначені оптимальні параметри і режими експеримеентів. Для підтвердження працездатності нового методу, розробленої і виготовленої експериментальної установки до нього та запропонованої математичної моделі було проведено експерименти з вирощування гетероепітаксійних шарів і нанесення контактної сітки. А саме. Вирощений епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з Ga-Ge розчину-розплаву, товщиною 12.6 мкм в умовах градієнта температури. Вирощені суцільні по поверхні гетероепітаксійні шари Ge на підкладках GaP та GaAs в умовах надшвидкісного вирощування, на початковому етапі росту, при часі кристалізації 1 с та 20 с. Нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні Si пластини з Al-Sn розчину-розплаву, крізь маску із вузькими щілинами, що має питомий контактний опір 7.2∙10 4 Ом·см2. За допомогою епітаксії шару Ge на підкладках GaP та GaAs шляхом порівнянням розрахункової і експериментальної товщини гетероепітаксійного шару підтверджена коректність запропонованих моделей тепло- та масопередачі для методу скануючої рідиннофазної епітаксії. Дата реєстрації 2021-10-20 Додано в НРАТ 2021-10-20 Закрити