Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0496U000801, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-05-1996 Статус Запланована Назва роботи Нестационарная акустоэлектрическая и акустооптическая спектроскопия глубоких уровней в GaAS Здобувач Сайко Сергей Васильевич, Керівник Островский И.В. Опонент Локтев В.М. Опонент Олих Я.М. Опис Объект исследования: Эпитаксиальные структуры GaAS. Цель исследования: Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных структурах GaAS. Методы исследования и аппаратура: Нестационарная акустоэлектрическая и акустооптическая спектроскопия глубоких уровней, C-V измерения. Теоретические результаты и новизна: Расчитано время жизни неравновесных носителейзаряда, захваченных на подзону поверхностных электронных состояний. Практические результаты и новизна: предложено новую неразрушающую методику исследования дефектов структуры в эпитаксиальных полупроводниках. Предмет и степень внедрения: Методика иссследования дефектов, степень - высокая. Эффективность внедрения: позвояет исследовать дефекты структуры в п/п структурах без разрушения образцов. Сфера (область) использования: Информационные технологии. Дата реєстрації 1996-05-27 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація кандидатська
Нестационарная акустоэлектрическая и акустооптическая спектроскопия глубоких уровней в GaAS
Сайко Сергей Васильевич. Нестационарная акустоэлектрическая и акустооптическая спектроскопия глубоких уровней в GaAS : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 1996-05-27; Статус: Захищена; Национальный университет им. Т.Г. Шевченко. – , 0496U000801.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку