Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0498U000113, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-12-1997 Статус Запланована Назва роботи Исследование взаимодействия висмута с поверхностью кремния Здобувач Пятницкий Максим Юрьевич, Керівник Находкин Н.Г. Опонент Федорус А.Г. Опонент Литовченко В.Г. Опис Объект исследования: Субмонослойные пленки Bi на Si /001/. Цель исследования: Получить данные о механизме формирования пленок Bi на Si/001/, о влиянии висмуту на электронную структуру и как следствие на химическую активность Si/001/. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия, термодесорбционная масспектро метрия, Оже-спектроскопия, ионизационная спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Спектрометрия. Практические результаты и новизна: Определен механизм формирования пленок Bi на Si/9001/ и влияние висмута на окисление поверхности Si/001/. Предмет и степень внедрения: Контрольное формирование сверхтонких слоев оксидов кремния у микроэлектронной технологии. Эффективность внедрения: С целью повышения степени интеграции интегральных схем. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микроэлектроника. Дата реєстрації 1997-12-18 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити