Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0498U001756, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 29-06-1998 Статус Запланована Назва роботи Термофоторезистивный эффект для микроэлектронных сенсоров Здобувач Павлишин О.В., Керівник Готра З.Ю. Опонент Дружинин А.О. Опонент Брайловский В.В. Опис Объект исследования: Полупроводниковые слоистые кристаллы InSe, термофоторезистивный эффект - создание микроэлектронных сенсоров. Цель исследования: Теоретическое изучение и экспериментальное исследование термофоторезистивного эффекта в полупроводниках, создание приборов функциональной электроники на его базе. Методы исследования и аппаратура: Моделирование термофоторезистивного эффекта, разработка методики исследования, исследование свойств полупроводников, создание приборов функциональной электроники. Теоретические результаты и новизна: Выведено уравнение термофотопроводимости, исследовано свойства полупроводников методом комбинированного термо- и фотовозбуждения. Практические результаты и новизна: Разработаны приборы функциональной электроники на базе термофоторезистивного эффекта. Предмет и степень внедрения: Разработан сенсор частоты следования оптических импульсов, разработан сенсор модулированного по интенсивности инфракрасного излучения, опытные образцы. Эффективность внедрения: Улучшены характеристики приборов функциональной электроники за счет использования термофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Во ЛНИРТИ и ЛНИИ "Еротрон". Дата реєстрації 1998-06-29 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити