Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0500U000042, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 27-01-2000 Статус Запланована Назва роботи Дослідження оптичних та електричних властивостей кристалів, епітаксійних плівок та квантово-розмірних структур на основі сульфіда та селеніду цинку Здобувач Коваленко Олександр Володимирович, Керівник Кудзін Аркадій Юрійович Опонент Блонський Іван Васильович Опонент Глинчук Майя Давилдівна Опонент Корбутяк Дмитро Васильович Опис Дисертаційну роботу присвячено дослідженню оптичних та електричних властивостей монокристалів ZnSxSe1-x з різноманітними домішками, гетероепітаксійних струтур ZnSe / GaAs (100) та квантово-розмірних структур типу одиночна квантова яма - ZnS-ZnSe-ZnS/GaAs (100) та надграта - ZnS/ZnSe/GaAs (100). Проаналізовано процеси переносу заряду при ФЛ в кристалах ZnS: Al, Cr, Fe; вивчено зміни в спектрах ЕПР та ФЛ пластично деформованих кристалів ZnS: Eu; ZnS: Al, Cr, Fe; ZnS: Al, Cr, Fe, Cu; досліджено вплив термообробок на тип провідності кристалів ZnSxSe1-x.Проведено комплексні дослідження фізичних процесів, які відбуваються при зрощуванні гетероепітаксійних структур ZnSe/GaAs (100) методами ГФЕ, ФГФЕ та РГФЕ. Вивчено можливості поліпшення кристалічної якості та коригування оптичних властивостей епітаксійних шарів ZnSe на підкладках GaAs (100) шляхом впливу на поверхню синтезованого напівпровідникового шару м'якого рентгенівського випромінювання та високого гідростатичного тиску. Отримано нові експериментальні дані про зміни екситонних спектрів ФЛ та СВ в епітаксійних плівках ZnSe на підкладках GaAs (100) із різною товщиною шару та характером внутрішніх деформаційних напружень. Вперше методом ФГФЕ на підкладках GaAs (100) зрощено квантово-розмірні структури типу одиночна квантова яма та надграта на основі сульфіду та селеніду цинку та досліджено їх оптичні характеристики. Дата реєстрації 2000-01-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити