Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0520U101648, Докторська дисертація

На здобуття

Доктор фізико-математичних наук, 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

06-11-2020

Статус

Запланована

Назва роботи

Електронні явища в планарних та наноструктурованих поверхнево-бар’єрних структурах на основі кремнію, кремнієвмісних та халькогенідних сполук.

Здобувач

Солован Михайло Миколайович, Кандидат технічних наук

Керівник Мар'янчук Павло Дмитрович
Консультант Мар'янчук Павло Дмитрович
Опонент Юхимчук Володимир Олександрович
Опонент Пелещак Роман Михайлович
Опонент Мирончук Галина Леонідівна

Опис

Дисертація присвячена дослідженню оптимальних умов виготовлення планарних і наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі з заданими і відтворюваними електричними та фотоелектричними властивостями; встановленню закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах в залежності від особливостей конструкції і технологічних процесів. В дисертаційній роботі вперше виготовлено та досліджено на основі кремнію, на поверхні якого створені нанодроти, фоточутливі наноструктуровані гетероструктури МоОx/n-Si, МоN/n-Si, ТіN/p-Si, діоди Шотткі Nі/n-Si й Mo/n-Si, а на основі низькоомного CdTe гетеропереходи МоОx/n-CdTe(CdZnTe), а також виготовлено ряд детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі SiC та детекторів X/γ-випромінювання на основі високоомного CdTe. Запропоновано модель, яка пояснює зростання послідовного опору та зміну концентрації легуючої домішки у базовій області кремнію з інтеркальованими наночастками срібла, а також запропоновані методи визначення активної площі наноструктурованих бар'єрних структур та концентрації нескомпенсованої домішки в напівізолюючому CdTe.

Дата реєстрації

2020-11-06

Додано в НРАТ

2020-11-20