Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0598U000168, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 24-04-1998 Статус Запланована Назва роботи Структурные дефекты и активные центры в полупроводниковых материалах на основе CdSb и Bi2Те3 Здобувач Семизоров Александр Федорович, Опонент Баранский П.И. Опонент Буджак Я.С. Опонент Шендеровский В.А. Опис Объект исследования: Полупроводниковые материалы на основе CdSb и Bi2Те3. Цель исследования: Получение и исследование физико-химических и физических свойств полупроводниковых материалов на основе CdSb и Bi2Те3. Методы исследования и аппаратура: Металлографические, рентгенографические, электрические, оптические, фотоэлектрические методы, метод меченых атомов. Теоретические результаты и новизна: Определены зонные параметры, которые характеризуют процессы сегрегации, диффузии, электропереноса. Практические результаты и новизна: Получены новые полупроводниковые материалы на основе CdSb и Bi2Те3. Предмет и степень внедрения: Промышленное производство композитов. Эффективность внедрения: Увеличение вольт-ваттной чувствительности анизотропных термоэлементов. Сфера (область) использования: Термоэлектричество. Дата реєстрації 1998-04-24 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити