Реєстраційний номер
0598U000168, Докторська дисертація
На здобуття
д.ф.-м.н.
Дата захисту
24-04-1998
Статус
Захищена
Назва роботи
Структурные дефекты и активные центры в полупроводниковых материалах на основе CdSb и Bi2Те3
Здобувач
Семизоров Александр Федорович,
Опонент Баранский П.И.
Опонент Буджак Я.С.
Опонент Шендеровский В.А.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича
Опис
Объект исследования: Полупроводниковые материалы на основе CdSb и Bi2Те3. Цель исследования: Получение и исследование физико-химических и физических свойств полупроводниковых материалов на основе CdSb и Bi2Те3. Методы исследования и аппаратура: Металлографические, рентгенографические, электрические, оптические, фотоэлектрические методы, метод меченых атомов. Теоретические результаты и новизна: Определены зонные параметры, которые характеризуют процессы сегрегации, диффузии, электропереноса. Практические результаты и новизна: Получены новые полупроводниковые материалы на основе CdSb и Bi2Те3. Предмет и степень внедрения: Промышленное производство композитов. Эффективность внедрения: Увеличение вольт-ваттной чувствительности анизотропных термоэлементов. Сфера (область) использования: Термоэлектричество.
Дата реєстрації
1998-06-05
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-17 / 2026-06-30
