Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0824U003117, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 30-08-2024 Статус Наказ про видачу диплома Назва роботи Особливості фізичних характеристик вихідних і опромінених електронами з енергією Е = 2 МеВ гомо- та гетероперехідних світлодіодів Здобувач Мосюк Тетяна Іванівна, Керівник Вернидуб Роман Михайлович Опонент Корбутяк Дмитро Васильович Опонент Туровський Олександр Леонідович Рецензент Кириленко Олена Іванівна Рецензент Павлова Наталія Юріївна Опис Дисертаційна робота присвячена дослідженню електрофізичних та оптичних характеристик вихідних та опромінених електронами з енергією E = 2 МеВ, гомоперехідних GaP, GaAsP, світлодіодів і гетероперехідних світлодіодів InGaN з квантовими ямами. У поданій роботі детально описано технологію опромінення зразків, приготування до експериментальних вимірювань, принципові схеми вимірювальних пристроїв, особливості низькотемпературних вимірювань, способи одержання потрібної інформації та методи опрацювання результатів. Приведені результати вимірювання вольт-амперних та електролюмінісцентних характеристик у межах 77 ^ 300 °К вихідних і опромінених електронами з енергією Е = 2 МеВ; Ф = 8,2 ■ 1016 см-2 світлодіодів GaP, InGaN/GaN. Проаналізовано особливості температурних залежностей інтенсивності свічення опромінених світлодіодів. Виявлено, що введення радіаційних дефектів у світлодіодів InGaN електронами і у-квантами Со60, Cs137 супроводжується падінням інтенсивності випромінювання і, відповідно, зменшенням квантового виходу внаслідок виникнення глибоких безвипромінювальних рівнів, причому ефективність дії Y- квантів Со60~у 1,5 рази вища, ніж у-квантів Cs137 Досліджувались світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів InxGa1- xN (х<0,1). Встановлено, що спектр випромінювання досліджуваних зразків при 300 °К складається з трьох смуг з Х1мах=370 нм (УФ), Х2мах=550 нм - (жовтої) та ^змах=770 нм - (червоної). Перша з них виникає внаслідок рекомбінаційних переходів у квантових ямах; дві інші - дефектного походження. Дуплетна структура максимуму випромінювання УФ - смуги при 77 °К - наслідок фононного повторення основної лінії випромінювання. Опромінення електронами супроводжується падінням інтенсивності свічення всіх трьох смуг; виникнення максимума Хмах=420 нм очевидно пов’язане із введенням радіаційних дефектів в область квантових ям. Опромінення електронами з Е = 2 МеВ світлодіодів InGaN/GaN приводить до падіння інтенсивності всіх трьох ліній у результаті введення безвипромінювальних рівнів як у активні області InGaN, так і у бар’єри GaN. На фоні загального зменшення інтенсивності рекомбінації виникає додатковий максимум з Хмах=470 нм, спричинений присутністю у зразку дефектів радіаційного походження. Дата реєстрації 2024-09-19 Додано в НРАТ 2024-09-19 Закрити