Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U001468, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35166 Видання Sumy State University Опис The diffusion and gettering of oxygen are investigated after low-energy arsenic implantation and furnace annealing of SiO2/Si structures. Secondary ion mass spectrometry was used for examination of arsenic and oxygen depth profiles. It is shown that arsenic-doped ultra-shallow junction in Si stimulates the background oxygen gettering by SiO2/Si interface at the annealing temperatures higher than 850 C. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35166 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si
Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U001468
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку