Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U002206, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3] Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729 Видання Сумський державний університет Опис Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4, вирощені методом Бріджмена. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити