Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2117U002324, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния Автор Дата публікації 01-01-2017 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519 Видання Сумский государственный университет Опис Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити