Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2120U001712, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films Автор Дата публікації 01-01-2020 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77142 Видання Sumy State University Опис Запропоновано комірку пам’яті нового типу "біт + кубіт" на основі вертикальних блохівськіх ліній, що знаходяться в доменній стінці смугового магнітного домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці із сильною магнітною анізотропією. Даний результат відкриває перспективи створення запам’ятовувальних пристроїв як з квантовим, так і "класичним" режимами запису інформації. It was proposed a new memory storage unit of "bit + qubit" type based on unipolar vertical Bloch lines located in the domain wall of a magnetic stripe domain formed in a uniaxial ferromagnetic film with strong magnetic anisotropy. This result opens up the prospects for creating memory storage devices with both the quantum and "classical" process of recording information. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films
Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films : публікація 2020-01-01; Сумський державний університет, 2120U001712
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку