Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si

Гайдар Г.П.

National Repository of Academic Texts

Advanced search of academic text
The NRAT database:

Reports in the field of scientific and scientific and technical activities

0
Total number

0
Full text

Dissertations for obtaining scientific degrees and abstracts

0
Total number

0
Full text

Materials from publications and local repositories

0
Number of local repositories

0
Full text

Стаття, Опубліковано. Гайдар Г.П.. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si

How to use the search function

Article

Стаття

Опубліковано

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. On the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals

Гайдар Г.П.. Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. On the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals : published. 2024-09-08; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012613

Updated: 2026-11-08

Роздрукувати цю сторінку