Пошук академічних текстів

Керівник: Мельник Віктор Павлович. Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки. (Етап: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U002739

Керівник: Сизов Федір Федорович. Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0217U001002

Керівник: Сизов Федір Федорович. Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U001195

Кухтарук Наталія Іванівна. Механізми чутливості вузькозонного Hg1-xCdxTe в терагерцовій та субтерагерцовій областях спектра. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2011-04-27; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0411U003286.