Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U001002, 0115U005017 , Науково-дослідна робота Назва роботи Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-01-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено новий підхід до детектування інфрачервоного (ІЧ) випромінювання за допомогою вузькощілинного напівпровідникового з'єднання CdHgTe на основі пьезопотенціалу, що виникає на гетерограниці CdHgTe і підкладки. Запропоновано фізичну модель термомеханічних деформацій, що виникають на інтерфейсі епітаксійна плівка-підкладка, на базі гетероструктури CdHgTe/Si розроблено конструкцію прототипу фотодетектора для детектування ІЧ випромінювання без застосування електричного зміщення і охолодження. Також досліджувались субтерагерцові детектувальні характеристики гетероструктурного польового транзистора GaAs/InGaAs з затвором у вигляді переходу Шотткі. Показано, що НЕМТ GaAs/InGaAs мають високу чутливість до субтерагерцового випромінювання, а вихідний сигнал детекторів нелінійно залежить від напруги на затворі транзистора. Розрахункова вольт-ватна чутливість детектора складає ~100 В/Вт, а NEP, при врахуванні шуму Джонсона, NEP = 1·10-10 Вт/Гц1/2. Опис продукції Проведенно моделювання фототермічної деформації напружених багатошарових п'єзо-гетероструктур HgСdТe/GaАs і HgСdТe/Si в результаті поглинання ІЧ випромінювання в залежності від архітектури і значень механічних напружень тонкоплівкових напівпровідникових структур. Дослідження дискретних та багатоелементних лінійок польових транзисторів НЕМТ на основі гетеропереходів AlGaN/GaN у якості детекторів прямого детектування випромінювання в діапазоні 37-280 ГГц для визначення їх детектуючих характеристик і порівняння з характеристиками існуючих приймачів. Автори роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна Забудський Вячеслав Володимирович Кухтарук Наталія Іванівна Мележик Євген Олександрович Сахно Микола Вадимович Сизов Федір Федорович Цибрій Зеновія Федорівна Шевчик-Шекера Анна Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Сизов Федір Федорович. Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0217U001002
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15