Search academic texts

Head: Oleksii M. Nazarov. Development and research of functional nanomaterials and devices for THz and IR photoelectronics, micro- and nanoelectronics, biomedicine. (popup.stage: Розроблення та дослідження функціональних наноматеріалів і приладів для ТГц та ІЧ фотоелектроніки, мікро- і наноелектроніки, біомедицини.). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine. № 0226U001269

Head: Syzov Fedir F.. Semiconductor low-dimensional and nanoscale structures for THz detection. (popup.stage: Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання.). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U002880

Head: Syzov Fedir F.. Semiconductor low-dimensional and nanoscale structures for THz detection. (popup.stage: Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання.). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0225U002784

Head: Humenjuk-Sichevska Janna V.. Terahertz optoelectronics in novel low dimensional narrow gap semiconductor nanostructures. (popup.stage: Фундаментальні дослідження в області ТГц оптоелектроніки.). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U002273

Head: Syzov Fedir F.. Research and development of the Terahertz optical system for Terahertz imaging systems.. (popup.stage: Дизайн терагерцової оптичної системи і дослідження її характеристик. Експериментальні дослідження терагерцової оптичної системи та оцінка її характеристик.). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U001658

Head: Valakh Mykhailo Ya.. Development of the element base technology of modern infrared photoelectronics. (popup.stage: Розробка технології елементної бази сучасної інфрачервоної фото електроніки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U000735

Head: Humenjuk-Sichevska Janna V.. Terahertz optoelectronics in novel low dimensional narrow gap semiconductor nanostructures. V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0124U002531

Head: Syzov Fedir F.. Development of a methodology for calculating the IR visibility of a gas turbine engine. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U002007

Head: Belyaev Oleksandr Ye.. Search and creation of advanced semiconductor materials and functional structures for nano- and optoelectronics. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0222U001900

Head: Syzov Fedir F.. Feasibility study for the creation of an experimental technological line for the manufacturing of matrix IR receivers of different formats and the technological route of manufacturing a matrix IR receiver by format 128x128 elements with a step of 50 μm on the spectral sensitivity range of 3-5 μm based on photosensitive MCT layers. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0221U106197