Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0225U002880, (0121U108634) , Науково-дослідна робота Назва роботи Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектуван Назва етапу роботи Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання. Керівник роботи Сизов Федір Федорович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 14-04-2025 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Метою проекту є розробка нових типів детекторів ТГц випромінювання на основі напівпровідникових та напівметалічних низьковимірних структур і наноматеріалів (наношарів, структур з квантовими ямами, нанодротів, наноконтактів) для покращення чутливості, просторової роздільної здатності, а також побудови поляризаційно чутливих приймачів для детектування у ТГц діапазоні спектра без глибокого охолодження, які можуть бути використані в приладах високошвидкісного та широкосмугового зв’язку, молекулярній спектроскопії високої роздільної здатності, виявлення та ідентифікації небезпечних хімічних та вибухових речовин в системах технічного спостереження та безпеки, біомедичних застосуваннь, контролю харчових продуктів, ТГц 3D-томографії та інше. Опис етапу  Метою проекту є розробка нових типів детекторів ТГц випромінювання на основі напівпровідникових та напівметалічних низьковимірних структур і наноматеріалів (наношарів, структур з квантовими ямами, нанодротів, наноконтактів) для покращення чутливості, просторової роздільної здатності, а також побудови поляризаційно чутливих приймачів для детектування у ТГц діапазоні спектра без глибокого охолодження, які можуть бути використані в приладах високошвидкісного та широкосмугового зв’язку, молекулярній спектроскопії високої роздільної здатності, виявлення та ідентифікації небезпечних хімічних та вибухових речовин в системах технічного спостереження та безпеки, біомедичних застосуваннь, контролю харчових продуктів, ТГц 3D-томографії та інше Опис продукції Автори роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна Савкіна Рада Костянтинівна Цибрій Зиновія Федорівна Додано в НРАТ 2025-04-14 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Сизов Федір Федорович. Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектуван. (Етап: Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання.). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U002880
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16