Керівник: Сизов Федір Федорович. Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектуван. (Етап: Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання.). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U002880

Оновлено: 2026-11-09