Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0111U008113, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізичних основ технології отримання гетероструктур на основі арсенід-галієвих матеріалів методом МОС-гідридної епітаксії для отримання фотовольтаічних елементів з високим ККД Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 05-07-2011 Організація виконавець Львівська філія науково-виробничого концерну "Наука" Опис роботи Розроблення фізичних основ технології виготовлення каскадних гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaP з варізонним активним шаром для фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розроблення фізичних основ технології отримання гетероструктур на основі арсенід-галієвих матеріалів методом МОС-гідридної епітаксії для отримання фотовольтаічних елементів з високим ККД
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення фізичних основ технології отримання гетероструктур на основі арсенід-галієвих матеріалів методом МОС-гідридної епітаксії для отримання фотовольтаічних елементів з високим ККД. Львівська філія науково-виробничого концерну "Наука". № 0111U008113
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку