Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0112U005082, ( 0217U003083  0217U003084  0217U003085  0217U003086  0217U003087  ) Науково-дослідна робота Назва роботи 1. Дефектоутворення та кінетичні ефекти в опромінених і термічно оброблених напівпровідниках та наноструктурах на їх основі. Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 25-05-2012 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис роботи Вивчення закономірностей змін електрофізичних і структурних властивостей напівпровідників під впливом ядерних випромінювань та термовідпалів; поглиблення фундаментальних знань щодо природи утворення та самоорганізації радіаційних дефектів в умовах опромінення високоенергетичними ядерними частинками; моделювання дефектів структури в бінарних сполуках. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
1. Дефектоутворення та кінетичні ефекти в опромінених і термічно оброблених напівпровідниках та наноструктурах на їх основі.
Керівник: Гайдар Галина Петрівна. 1. Дефектоутворення та кінетичні ефекти в опромінених і термічно оброблених напівпровідниках та наноструктурах на їх основі.. Інститут ядерних досліджень НАН України. № 0112U005082
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку