Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0120U102253, ( 0225U002665  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 iз катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки. Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-04-2020 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Основною метою запланованих наукових досліджень є пошук шляхів покращення структурної досконалості нанокристалічних халькогенідих матеріалів типу Cu2ZnSnS4 (CZTS) для підвищення ефективності їх використання в сонячних фотоелектричних комірках. Мова йде, в першу чергу, про характерну для цих сполук високу концентрацію власних структурних дефектів, пов'язаних із катіонними вакансіями і антисайт дефектами типу CuZn i ZnCu , а також можливими включеннями вторинних фаз бінарних і потрійних халькогенідів, таких як CuS, ZnS, Cu2SnS та ін. Додано в НРАТ 2025-03-26 Закрити
НДДКР РК
Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 iз катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки.
Керівник: Валах Михайло Якович. Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 iз катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки.. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0120U102253
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку