Реєстраційний номер
0120U102253,
(
0225U002665
)
Науково-дослідна робота
Назва роботи
Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 iз катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки.
Керівник роботи
Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
28-04-2020
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис роботи
Основною метою запланованих наукових досліджень є пошук шляхів покращення структурної досконалості нанокристалічних халькогенідих матеріалів типу Cu2ZnSnS4 (CZTS) для підвищення ефективності їх використання в сонячних фотоелектричних комірках. Мова йде, в першу чергу, про характерну для цих сполук високу концентрацію власних структурних дефектів, пов'язаних із катіонними вакансіями і антисайт дефектами типу CuZn i ZnCu , а також можливими включеннями вторинних фаз бінарних і потрійних халькогенідів, таких як CuS, ZnS, Cu2SnS та ін.
Додано/оновлено в НРАТ
2025-03-26
