Реєстраційна картка науково-дослідної роботи. Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.

Реєстраційний номер

0120U102292, ( 0221U100360  ) Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.

Керівник роботи

Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

29-04-2020

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис роботи

Метою проекту є встановлення закономірностей формування і виготовлення експериментальних зразків впорядкованих масивів плазмонних наноструктур різних типів, сформованих методом інтерференційної фотолітографії, а також вивчення їх морфологічних, оптичних властивостей і плазмон-стимульованих процесів в тонких напівпровідникових та діелектричних шарах та нанокомпозитах

Додано/оновлено в НРАТ

2024-12-10