Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0221U100360, 0120U102292 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків. Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-01-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу  Проведена оптимізація процесів формування періодичних плазмонних наноструктур із корельованим рельєфом яка включала оптимізацію процесу нанесення адгезивного шару і вакуумного халькогенідного фоторезисту, експонування, післяекспозиційної обробки, нанесення плазмон-підтримуючого шару. Розроблені технологічні інструкції по реалізації процесу формування періодичних плазмонних наноструктур з корельованим рельєфом методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів. Виготовлені експериментальні зразки одновимірних (гратки) та двовимірних (матриці) плазмонних наноструктур з корельованим рельєфом на основі шарів золота, срібла та алюмінію. Інтервал просторових частот виготовлених латерально впорядкованих структур становить 800 - 4000 мм-1, глибина модуляції в межах 5 - 31%. Опис продукції Автори роботи Данько Віктор Андрійович Луканюк Марія Василівна Минько Віктор Іванович Сопінський Микола Вікторович Додано в НРАТ 2021-01-04 Закрити
НДДКР ОК
Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.
Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0221U100360
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку