Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0121U112031, ( 0222U001480  0223U003019  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційної стійкості і впливу радіаційних дефектів при опроміненні частинками різних видів напівпровідникових структур InGaN Керівник роботи Малий Євген Вікторович, Дата реєстрації 07-07-2021 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис роботи Інтенсивний розвиток комунікаційно-інформаційних мереж засобів контролю та керування інформаційними потоками сприяв розширенню пошуку світлодіодів, надійніших та ефективніших від традиційних, вирощених на базі GaP, GaAs та їхніх твердих розчинів, які могли б задовольнити потреби споживачів у видимій області довжин хвиль. Гетероструктури, завдяки властивим їм бар’єрам, на межах контактних та активних шарів дають можливість утримувати носії в активній зоні світлодіода; наявність у них квантових ям сприяє їхньому локальному накопиченню, а відтак – уникненню рекомбінації через безвипромінювальні центри. Визначальною особливістю використання твердого розчину InxGa1-xN як активної області світлодіода InGaN/GaN полягає у прямозонності розчинів нітридію, що не накладає обмежень на склад і, відповідно, не змінює квантового виходу на противагу, наприклад, діодам GaAs1-xPx. Використання проникної радіації з метою контрольованого введення дефектів структури у досліджувані об’єкти може сприяти з’ясуванню їхньої ролі у механізмі деградації характеристик приладів. Питання радіаційної стійкості елементів бортових опто-електронних модулів наразі також залишається достатньо актуальним, зважаючи на незрівнянно вищі, порівняно з космічними, густини потоків частинок та інтенсивностей радіаційних полів сучасних прискорювачів і ядерних установок, де можливе застосування оптоелектронних ліній зв’язку чи пристроїв відображення, зберігання та обробки даних. Зазначимо також, що дослідження радіаційної стійкості їхніх активних елементів – одна зі складових забезпечення надійності експлуатації згаданих вище надпотужних джерел проникного випромінювання. . Оптичні характеристики зразків зніматимуться в автоматичному режимі вимірювальною установкою, що складається з монохроматора МДР-23 (роздільна здатність якого 1 нм), фотоелектронних помножувачів типу ФЕУ-100 та ФЕУ-62, стабілізатора струму для світлодіодів, високовольтного стабілізатора живлення, джерела світла та вольтметра. Вольт-амперні Додано в НРАТ 2024-12-09 Закрити