Реєстраційний номер
0209U010687,
0108U006020
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Леговані тонкі оксидні плівки - перспективні матеріали для оптоелектронних і спінтронних пристроїв.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Білічук Сергій Васильович,
Дата реєстрації
28-12-2009
Організація виконавець
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис етапу
Встановлено оптимальні режими одержання нелегованих та легованих 3d-елементами оксидних плівок SnO2, ZnO методами реактивного та високочастотного магнетронного розпилення. Методом пульверизації з наступним піролізом отримано плівки SnO2:Mn і SnO2:Co з питомим електроопором р = 8·10-3 … 2*106 Ом·см, однорідні за структурою при товщинах d = 0,2 мкм та ZnO:Mn з р = 8 … 106 Ом·см і товщиною d = 0,1 мкм. Досліджено особливості кінетики процесу відпалу для плівок SnО2, напилених на не нагріту та нагріту підкладку. На основі аналізу температурних властивостей питомого електроопору встановлено мікрокристалічну структуру досліджуваних плівок з довжиною вільного пробігу носіїв заряду співрозмірною з розмірами зерен. Встановлено умови виготовлення та отримано структури Co/СdTe, Co/СdМпTe, Cr/n-CdTe та Cr/n-CdTe:Sc, Ni/n-Si, Ni/ZnMnO, ZnО:Со/n-GaP. Виявлено зменшення концентрації носів заряду в базовій області n- CdTe:Sc майже на три порядки у процесі технологічних операцій виготовлення структури, що може бути пояснено утворенням власних дефектів акцепторного типу вакансій кадмію. Досліджено вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики отриманих структур, на основі яких визначено параметри перехідних областей: висоту потенціального бар'єру, товщину області просторового заряду у базових напівпровідниках. Проаналізовано явища струмопереносу в структурах магнітний метал/ напівпровідник. Встановлено, що механізм інжекції носіїв заряду через контакт Cr/n-CdTe:Sc у значній мірі залежить від температури. Якщо при температурах вищих від кімнатної (Т=295-333К) домінуючим є дифузія через бар'єр, то в області низьких температур( Т=77-133К) у процесах струмоперенесення крім дифузії(U 0,12В) має місце їх тунелювання. Зворотний струм формується тепловим рухом носіїв заряду та тунельним струмом.
Опис продукції
Встановлені оптимальні режими одержання нелегованих та легованих 3d-елементами оксидних плівок SnO2, ZnO методами реактивного та високочастотного магнетронного розпилення. Встановлені умови виготовлення структур Co/СdTe, Co/СdМпTe, Cr/n-CdTe та Cr/n-CdTe:Sc, Ni/n-Si, Ni/ZnMnO, ZnО:Со/n-GaP. Досліджені особливості кінетики процесу відпалу для плівок SnО2, напилених на не нагріту та нагріту підкладку. Проаналізовані явища струмопереносу в структурах магнітний метал/ напівпровідник.
Автори роботи
Білічук Сергій Васильович
Горлей Петро Миколайович
Константинович Іван Аурелович
Орлецький Іван Григорович
Фрасуняк Василь Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
