Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 8
НДДКР ОК
Кристали та тонкі плівки звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів: технологія одержання, фізичні властивості, створення на їх основі приладів електроніки, спінтроніки, сонячної енергетики і світловипромінюючих структур
Керівник: Мар'янчук Павло Дмитрович. Кристали та тонкі плівки звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів: технологія одержання, фізичні властивості, створення на їх основі приладів електроніки, спінтроніки, сонячної енергетики і світловипромінюючих структур. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0215U009580
НДДКР ОК
Матеріалознавство оксидних і халькогенідних напівпровідників з наперед заданими властивостями та закономірності фізичних процесів у нового покоління електронних пристроїв на їх основі
Керівник: Мар'янчук Павло Дмитрович. Матеріалознавство оксидних і халькогенідних напівпровідників з наперед заданими властивостями та закономірності фізичних процесів у нового покоління електронних пристроїв на їх основі. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0212U004255
НДДКР ОК
Альтернативні до кремнію матеріали та технології створення на їх основі ефективних сонячних елементів з високопровідним прозорим покриттям
Керівник: Фрасуняк Василь Михайлович. Альтернативні до кремнію матеріали та технології створення на їх основі ефективних сонячних елементів з високопровідним прозорим покриттям. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0211U002805
НДДКР ОК
Об'ємні кристали та тонкі плівки складних халькогенідних напівпровідників і оксидів металів: технологія одержання, фізичні властивості та пристрої сонячної енергетики, спінтроніки, сенсорики та дозиметрії
Керівник: Мар"янчук Павло Дмитрович. Об'ємні кристали та тонкі плівки складних халькогенідних напівпровідників і оксидів металів: технологія одержання, фізичні властивості та пристрої сонячної енергетики, спінтроніки, сенсорики та дозиметрії. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0211U002816
НДДКР ОК
Халькогенідні та оксидні матеріали для ІЧ-техніки, оптоелектроніки, дозиметрії, сонячної енергетики, сенсорики, спінтроніки та фотоніки.
1
Керівник: Мар"янчук Павло Дмитрович. Халькогенідні та оксидні матеріали для ІЧ-техніки, оптоелектроніки, дозиметрії, сонячної енергетики, сенсорики, спінтроніки та фотоніки.. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0210U007856
НДДКР ОК
Закономірності впливу гідрогенізації на трансформацію дефектної підсистеми, електричні, оптичні та фотоелектричні властивості тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2.
1
Керівник: Орлецький Іван Григорович. Закономірності впливу гідрогенізації на трансформацію дефектної підсистеми, електричні, оптичні та фотоелектричні властивості тонких плівок Cd(S,Se) і Cu(In,Ga)(S,Se)2.. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0210U007852
НДДКР ОК
Леговані тонкі оксидні плівки - перспективні матеріали для оптоелектронних і спінтронних пристроїв.
1
Керівник: Білічук Сергій Васильович. Леговані тонкі оксидні плівки - перспективні матеріали для оптоелектронних і спінтронних пристроїв.. (Етап: ). Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. № 0209U010687
Дисертація кандидатська
Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів
1
Білічук Сергій Васильович. Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2005-10-27; Статус: Захищена; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. – , 0405U004518.
Знайдено документів: 8

Оновлено: 2026-11-07


Роздрукувати цю сторінку