Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004255, 0109U002249 , Науково-дослідна робота Назва роботи Матеріалознавство оксидних і халькогенідних напівпровідників з наперед заданими властивостями та закономірності фізичних процесів у нового покоління електронних пристроїв на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Мар'янчук Павло Дмитрович, Дата реєстрації 01-02-2012 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Удосконалено технологічні режими одержання об'ємних кристалів і тонких плівок оксидних і халькогенідних напівпровідників різними методами; запроваджено енергозаощаджуючі режими отримання легованих різними домішками (у тім числі, з незаповненими 3d і 4f-оболонками) оксидних і халькогенідних напівпровідників у кристалічному, тонкоплівковому та наноструктурованому виконанні, придатних для створення нового покоління електронних приладів спеціального та побутового призначення. Cтворено лабораторні макети фоточутливих структур, детектора іонізуючого випромінювання, перетворювачів сонячної енергії, газового сенсора на основі досліджуваних матеріалів; встановлено основні закономірності електронних процесів у досліджуваних матеріалах і створених на їх основі пристроях у залежності від технологічних умов отримання матеріалу та виготовлення структур. Розроблено фізичні моделі відгуку оксидних і халькогенідних напівпровідників і створених на їх основі структур на дію зовнішніх факторів; дано рекомендації щодо можливостей використання досліджуваних напівпровідників у якості робочих елементів електронних приладів. Опис продукції Зразки термоелектричних матеріалів Hg1-xMnxТе1-ySy, Hg1-xMnxS, Hg1-x-yMnxFеyS володіють високим значенням коефіцієнта термоелектричної добротності. Збільшення коефіцієнта термоелектричної добротності пояснюється зростанням електропровідності та термоЕРС із зміною атомарного складу твердого розчину та в результаті відпалу кристалів в парах компонент. Перетворення, які відбуваються в дефектній підсистемі кристалів в процесі їх термообробки в парах компонент, обумовлюють великі значення коефіцієнта термоелектричної добротності (Z ~ 2,1 10-3 K-1), які не є характерними для відомих твердих розчинів на основі телуриду ртуті. Лабораторні зразки матеріалів Hg1-x-yMnxFеyTe володіють високим відносним магнітоопором (?? /?) ы це обумовлено тим, що в результаті введення у склад твердого розчину компоненту заліза та термообробки в парах ртуті спостерігається збільшення кількості та розмірів "феромагнітних" кластерів типу Fe-Fe-Fe, що посилює процес спінової поляризації носіїв заряду і внаслідок цього їх розсіювання Автори роботи Ілащук Марія Іванівна Андрущак Галина Олегівна Білічук Сергій Васильович Брус Віктор Васильович Димко Лариса Миколаївна Кафанов Анатолій Михайлович Козярський Іван Петрович Козярський Дмитро Петрович Мар'янчук Павло Дмитрович Микитюк Василь Іванович Мислюк Оксана Михайлівна Михайловська Ольга Іванівна Орлецький Іван Григорович Парфенюк Орест Архипович Сльотов Олексій Михайлович Ульяницький Костянтин Сергійович Фрасуняк Василь Михайлович Хомяк Володимир Васильович Чупира Сергій Миколайович Шлемкевич Володимир Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити