Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U010808, 0107U001226 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія одержання напівпровідникових матеріалів для спінової електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Слинько Євген Іларіонович; Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 25-12-2009 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України Опис етапу Синтезовано нові напівмагнітні напівпровідники на основі сполук A4B6 та A3B6 з магнітним упорядкуванням при кімнатній (і вище) температурі: 280К в PbGeCrTe, 345К в PbCaCrTe і 350К в InSe<Mn>. Визначено найбільш ефективні механізми посилення обмінної взаємодії електронів у сполуках A4B6 (GeMnEuTe, GeMnYbTe, GeSnMnTe, SnMnErTe, PbMnVTe, PbGeCrTe, РbСаCrТе) та A3B6 (InSe<Mn>, InFeSe, InCoSe, In2Se3<Mn>). Побудовано теоретичні моделі спін-залежних явищ у напівпровідниках А4B6 з врахуванням ролі легуючих домішок. Синтезовано і досліджено гібридні структури "феромагнітний метал - шаруватий напівпровідник" (Ni/p-GaSe) та "метал-оксид-напівпровідник" (AuNi/Ga2O3/p-GaSe), в яких реалізовано спін-залежні явища при кімнатній температурі. Опис продукції а) Дослідні зразки монокристалів з феромагнітним упорядкуванням при кімнатних (і вище) температурах придатні для застосування у приладах спінової електроніки. Температури Кюрі: 283 К в Pb0,97Ge0,02Cr0,01Te; 345 К в Pb0,91Ca0,07Cr0,02Te; 350 К в InSe <5ат.%Mn>. Дослідні зразки GeMnEuTe, GeMnYbTe, GeSnMnTe, SnMnErTe, PbMnVTe; InFeSe, InCoSe, In2Se3<Mn> - об'єкти досліджень з нижчими температурами Кюрі. б) Запропоновано метод формування квантових точок PbTe і SnTe на підкладках BaF2 та на ван-дер-ваальсівській поверхні GaSe шляхом нанесення епітаксійних шарів методом "гарячої стінки". в) Гібридні спінтронні метал-оксид-напівпровідникові (МОН) структури AuNi/Ga2O3/p-GaSe і бар'єри Шотткі Ni/p-GaSe характеризуються спіновою інжекцією (екстракцією) при кімнатній температурі. г) Теорія спінового струму та спінової дифузії в легованих напівпровідниках A4B6 враховує спінову генерацію, спінову релаксацію та спіновий транспорт носіїв. Автори роботи Іванов Володимир Ігорович Бахтінов Анатолій Петрович Водоп'янов Володимир Миколайович Дугаєв Віталій Костянтинович Заслонкін Андрій Володимирович Камінський Василь Михайлович Нетяга Віктор Васильович Слинько Василь Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Слинько Євген Іларіонович; Ковалюк Захар Дмитрович. Технологія одержання напівпровідникових матеріалів для спінової електроніки. (Етап: ). Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України. № 0209U010808
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15